垂直型器件的源极和漏极分别制作在圆片上下和两侧。因为电流垂直流过圆片,垂直型器件不适合做成,通常封装成分立器件,可以承受较大的电流。传统 VDMOS 的结构如图 2-68 所示。超较大。沟槽式栅极 MOSFET 的结构如图2-69所示。沟槽式栅极 MOSFET 有较大的沟道密度,通态电阻较小。采用背面研磨技术(Bkside Grinding) 可把圆片厚度研磨至 100μm 以下移动推轴,有助于降低沟槽式栅极 MOSFET 的内阻。
LDMOS 的结构如图 2-70 所示。制造工艺若可以提供浅槽隔离 ( ShallowTrench Isolation,STI)结构, 则可以将 STI 加在漂移区靠近沟道处,以增加LDMOS 承受电压的能力;如图2-71所示。LDMOS 管可以和集成电路结合。图2-71所示的器件厚度约 10μm 左右,可以耐电压 100~200V,结合低压控制电压和保护电路可以做成智能功率IC和显示器驱动电路。
耐压 600V 以上的超高压 LDMOS 需要既厚且长的漂移区(接近 100μm)。1979年,J.A.Appels 和 H. Vaes 提出采用薄外延层并使其完全耗尽 成空间电荷区以降低表面电场 (Reduced Surface Field, RESURF),的概念,可以优化器件的特性。器件漂移区耗尽示意图如图 2-72 所示。
此一观念后续又发展出多重 RESURF 结构的器件,如图 2-73及图2-74所示。
横向超高压器件集成在智能功率集成电路内时,其电流上限受到封装工艺的影响,通常为2A 左右。
超级结(Super Junction)的结构以及沟槽式栅极都可以做在 LDMOS 里,类似的器件结构也都可以用 SOI 工艺制造,如图 2-75 所示。
原文标题:功率金属-氧化物-半导体场效应管,功率金氧半場效電晶體,Power MOSFET