场效应管放大电路动态分析

　　花键等效模型相同，将场效应管也看成一个两，栅极与源极之间看成输入端口，漏极与源极之间看成输出端口。

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　　，是一种重要的电子元件。它由一个半导体材料制成，可以调节电流的流动，被广泛应用于

　　（英语：field-effect transistor，缩写：FET）是一种通过电

　　是具有源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子的四端子器件。通常，

　　(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。

　　是一种电子元件，它可以控制电流或电压，通过改变极化层的电场来控制电流或电压。根据其结构特点分为MOSFET（金属氧化物半导体

　　MOSFET 是具有源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子的四端子器件。通常，

　　，可控硅通常分为单向可控硅和双向可控硅（可控硅也叫晶闸管，可分单向晶闸管和双向晶闸管），其间绝缘栅型

　　Q1 、Q2 组成。当控制信号为低电平时,同向缓冲器U 输出低电平,使得与+ 9 V 电源相联的P 沟道

　　（英缩写FET）是电压控制器件，它有输入电压来控制输出电流的变化。它具有输入阻抗高噪声低，

　　。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS